首个在6英寸蓝宝石衬底上的1700V GaN HEMTs器件发布
2024-01-26近日,广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关,通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片,基于广州第三代半导体创新中心中试平台,成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。 相关研究成果于2024年1月发表于IEEE Electron Device Letters期刊。X. Li et al., “1700 V High-Performance GaN HEMTs on 6-inc